Tugtar leathsheoltóirí tríú glúin ar ábhair atá bunaithe ar nítríde Gallium (GaN), a chlúdaíonn a raon speictreach an banna tonnfhad iomlán de infridhearg, infheicthe agus ultraivialait, agus tá feidhmeanna tábhachtacha acu i réimse na léasair ultraivialait optoelectronics.GaN-bhunaithe. ionchais iarratais thábhachtacha i réimsí na liteagrafaíocht ultraivialait, leigheas ultraivialait, braite víreas, agus cumarsáid ultraivialait mar gheall ar shaintréithe na dtonnfhad gearr, an fhuinnimh fhótóin mhóra, an scaipeadh láidir, etc. Úsáidtear na léasair UV atá bunaithe ar GaN go forleathan freisin i réimsí na liteagrafaíocht ultraivialait, leigheas UV, agus cumarsáid UV. Mar sin féin, toisc go n-ullmhaítear léasair UV bunaithe ar GaN bunaithe ar theicneolaíocht ábhar epitaxial ilchineálach mí-oiriúnú mór, tá na lochtanna ábhartha, dópáil deacair, éifeachtacht luminescence maith chandamach íseal, caillteanas gléas, na léasair leathsheoltóra idirnáisiúnta i réimse an taighde ar an deacracht. , ag an baile agus eachtrannacha aird mhór.
Institiúid Taighde Leathsheoltóra Acadamh Eolaíochtaí na Síne, taighdeoir Zhao Degang, taighdeoir comhlach Yang Jing fócas fadtéarmach ar thaighde ábhair agus feistí optoelectronic bunaithe ar GaN. D’fhorbair 2016 léasair UV bunaithe ar GaN [J. leathcheann. 38, 051001 (2017)], 2022 chun instealladh leictreach excitation léasair AlGaN UV (357.9 nm) [J. leathcheann. 43, 1 (J. Semicond. 43, 1 (2017)]. Semicond. 43, 1 (2022)]), agus sa bhliain chéanna, bhí léasair UV ard-chumhachta le cumhacht aschuir leanúnach de 3.8 W ag teocht an tseomra thuig [Teicneolaíocht Léasair Roghnach. 156, 108574 (2022)] Le déanaí, tá dul chun cinn tábhachtach déanta ag ár bhfoireann maidir le léasair UV ard-chumhachta atá bunaithe ar GaN, agus fuair siad amach go mbaineann tréithe teochta bochta léasair UV go príomha leis an luí seoil lag. na n-iompróirí i toibreacha chandamach UV, agus tá feabhas suntasach tagtha ar shaintréithe teochta léasair UV ard-chumhachta trí struchtúr nua bacainní chandamach AlGaN agus teicnící eile a thabhairt isteach, agus tá cumhacht aschuir leanúnach léasair UV ag teocht an tseomra níos faide. méadaithe go 4.6 W, agus tá an tonnfhad excitation méadaithe go 386.8 nm Taispeánann Figiúr 1 speictream excitation an léasair UV ard-chumhachta, agus taispeánann Figiúr 2 an cuar optúil cumhachta-sruth-voltais (PIV) an léasair UV. cuirfidh cinn léasair UV ard-chumhachta GaN-bhunaithe chun cinn logánú na feiste agus tacóidh sé leis an tionscal léasair liteagrafaíocht UV baile, ultraivialait (UV). Cuirfidh cinn léasair UV ard-chumhachta atá bunaithe ar GaN chun cinn próiseas logánaithe na feiste agus tacóidh sé le forbairt neamhspleách liteagrafaíocht UV intíre, leigheas UV, cumarsáid UV agus réimsí eile.
Foilsíodh na torthaí mar "Tréithe teochta na dé-óidí léasair ultraivialait GaN-bhunaithe a fheabhsú trí úsáid a bhaint as toibreacha chandamach InGaN/AlGaN" san OECD. Foilsíodh na torthaí in Optics Letters faoin teideal "Tréithe teochta dé-óidí léasair ultraivialait bunaithe ar GaN a fheabhsú trí úsáid a bhaint as toibreacha chandamach InGaN/AlGaN". Ba é an taighdeoir comhlach Jing Yang an chéad údar ar an bpáipéar, agus ba é an taighdeoir Degang Zhao an t-údar comhfhreagrach. Thacaigh roinnt tionscadal leis an obair seo, lena n-áirítear Príomhchlár Taighde agus Forbartha Náisiúnta na Síne, Fondúireacht Náisiúnta Eolaíochta Nádúrtha na Síne, agus Tionscadal Speisialta Píolótach Straitéiseach Eolaíochta agus Teicneolaíochta Acadamh Eolaíochtaí na Síne.
Fíor 1 Speictream excitation léasair UV ard-chumhachta
Fíor 2 Cuar optúil cumhacht-sruthvoltais (PIV) léasair UV
