Le déanaí, bhain an saotharlann Jiufengshan cinn shuntasach teicneolaíochta amach i réimse na n -ábhar fosfaide Indium (INP), ag forbairt go rathúil próiseas fáis epitaxial do 6 - orlach Inp - brathadóirí struchtúir PIN -bhunaithe agus léasair struchtúir FP. Tá príomhtháscairí feidhmíochta bainte amach ag leibhéil atá i gceannas go hidirnáisiúnta. Is é an gnóthachtáil seo an chéad ghnóthachtáil intíre i réimse an táirgthe ábhair INP ar scála mór, ag baint amach feidhmchláir chomhordaithe ó chroí-threalamh go príomhábhair, ag soláthar tacaíocht thábhachtach d'fhorbairt thionsclaíoch feistí optoelectronic.
Mar bhunábhar i gcumarsáid optúil, i ríomhaireacht chandamach, agus i réimsí eile, tá scrogaill theicniúla i dtáirgeadh scála mór ag cur i bhfeidhm tionsclaíoch INP i dtáirgeadh scála mór -. Fanann próiseas príomhshrutha an tionscail ag an gcéim 3-orlach, agus mar gheall ar an gcostas ard ní féidir leis an bhfás pléascach ar fheidhmeanna tionsclaíocha iarthionúla a chomhlíonadh.
Leveraging domestic MOCVD equipment and InP substrate technology, the Jiufengshan Laboratory has overcome the challenges of controlling large-scale epitaxial uniformity and developed the first epitaxial growth process for 6-inch indium phosphide (InP)-based PIN structure detectors and FP structure lasers. Tá na príomhtháscairí feidhmíochta tar éis leibhéil atá i gceannas go hidirnáisiúnta a bhaint amach, ag leagan an bhunchloch do tháirgeadh scála mór sceallóga optúla 6-orlach Indium (INP).
Airíonna Ábhar:
• Tá diall caighdeánach sliseanna de dhiachas caighdeánach sliseanna de chuid Tonnfhad astaíochta PL PL laistigh den tslis<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• Tá tiúchan cúlra ábhair brathadóra bioráin<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11,000 cm²/v · s.
Foireann Próiseas Epitaxial Saotharlainne Jiufengshan
I gcoinne fhorbairt thapa an tionscail dhomhanda optoelectronics, tá fás pléascach ag baint le héileamh ar fhosfaid Indium (INP) i gcumarsáid optúil, Lidar, Terahertz Communications, agus réimsí eile. Dar le Yole Développement, táthar ag súil go sroichfidh an margadh Optoelectronics INP US $ 5.6 billiún in 2027, le ráta fáis bliantúil cumaisc (CAGR) de 14%. Táthar ag súil go laghdóidh an dul chun cinn sa phróiseas fosfaide Indium 6-orlach (INP) costas na sliseanna optúla baile go 60% -70% den phróiseas 3-orlach, ag cuidiú le hiomaíochas margaidh na sliseanna optúla baile a fheabhsú.
